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École de technologie supérieure

Responsable(s) de cours :

Handy Fortin Blanchette

PLAN DE COURS

Hiver 2022
ELE654 : Électronique de puissance II (3 crédits)

Modalités de la session d’hiver 2022

Pour assurer la tenue de la session d’hiver 2022, les modalités suivantes seront appliquées :

Les activités d’enseignement de la session d’hiver 2022 comprendront des activités en présence et à distance, lesquelles seront ajustées en fonction de l’évolution de la situation socio-sanitaire.

Pour les cours (ou séances de cours) donnés à distance, l’étudiant ou l'étudiante doit avoir accès à un ordinateur, un micro, une caméra et un accès à internet, idéalement de 10Mb/s ou plus. Il ou elle doit ouvrir sa caméra et/ou son micro lorsque requis, notamment pour des fins d’identification ou d’évaluation.

Les cours (ou séances de cours) donnés à distance pourraient être enregistrés afin de les rendre disponibles aux personnes inscrites au cours.

La notation des cours sera la notation régulière prévue aux règlements des études de l’ÉTS.

Les examens (intra, finaux) se feront en présence, si la situation socio-sanitaire le permet.

Le contexte actuel oblige bien sûr l’ÉTS à suivre de près l’évolution de la pandémie de COVID-19, laquelle pourrait entraîner, avant ou après le début de la session d’hiver 2022, un resserrement des directives et recommandations gouvernementales. Nous vous assurons que l’ÉTS se conformera aux règles en vigueur afin de préserver la santé publique et, si requis, qu'elle pourrait aller jusqu’à interdire l’accès physique au campus universitaire et ordonner que toutes les activités d’enseignement et d’évaluation soient exclusivement données à distance pour toute ou pour une partie de la session d’hiver 2022. Ainsi, si les examens (intra, finaux) devaient se faire à distance, leur surveillance se fera à l’aide de la caméra et du micro de l’ordinateur et pourrait être enregistrée. Ceci est nécessaire pour se conformer aux exigences du Bureau canadien d’agrément des programmes de génie (BCAPG) afin d’assurer la validité des évaluations.

Des exigences additionnelles pourraient être spécifiées par l’ÉTS ou votre département, suivant les particularités propres à votre programme.

En vous inscrivant ou en demeurant inscrit à la session d'hiver 2022, vous acceptez les modalités particulières de la session d’hiver 2022.

Nous vous rappelons que vous avez jusqu’au 18 janvier 2022 pour vous désinscrire de vos cours et être remboursé.

Pour les nouveaux étudiants inscrits au programme de baccalauréat uniquement, vous avez jusqu’au 1er février 2022 pour vous désinscrire de vos cours et être remboursé.

Préalables
Aucun préalable requis

Unités d'agrément
Total d'unités d'agrément : 58,8

Qualités de l'ingénieur

Q10

Q11

Q12

Qualité visée dans ce cours

Qualité visée dans un autre cours

Indicateur enseigné

Indicateur évalué

Indicateur enseigné et évalué

Descriptif du cours

Au terme de ce cours, l'étudiant sera familier avec le fonctionnement des hacheurs de courant et des convertisseurs à commutation forcée.

Hacheurs et onduleurs. Principes de la commutation forcée. Hacheurs : couplage série, montage parallèle, récupération d'énergie. Onduleurs autonomes : onduleurs à deux thyristors en parallèle, onduleurs à deux thyristors en série, onduleurs en pont, onduleurs monophasés et triphasés. Principes de fonctionnement et applications des montages. Circuits de commande des onduleurs autonomes. Circuits de commande et protection des hacheurs, fiabilité des composants semi-conducteurs de puissance.

Séances de laboratoire sur des onduleurs à transistor et des hacheurs et leur application dans les circuits de commande numérique.

Objectifs du cours

À la fin du cours, l'étudiant(e) devra être capable de :

connaître le principe de base et les règles d'interconnexion des sources;
connaître les spécifications et caractéristiques statiques et dynamiques des interrupteurs électroniques de puissance et bien maîtriser les exigences de leur commande;
maîtriser le principe de la conversion courant continu-courant continu à commutation forcée.
concevoir et réaliser expérimentalement différents convertisseurs pour des applications industrielles.

Stratégies pédagogiques

Un (1) cours magistral par semaine. Les cours sont disponibles sur Moodle sous forme de capsules vidéos. Les modalités de l'enseignement hybride seront précisées lors du premier cours.
Six (6) séances de laboratoire de quatre (4) heures. Les dates seront précisées en début de session dans un fichier qui sera déposé sur Moodle.

La théorie est enseignée durant les heures de cours magistral. Au laboratoire, les étudiant(e)s travaillent en équipe pour permettre d'acquérir un meilleur apprentissage, les membres de l'équipe doivent partager les différentes tâches reliées à chaque expérience.

Utilisation d’appareils électroniques

Les mesures en laboratoire sont effectuées à l'aide d'un oscilloscope à fréquence d'échantillonage élevée.

Horaire

Groupe	Jour	Heure	Activité
01	Lundi	08:30 - 12:30	Laboratoire aux 2 semaines
	Vendredi	08:30 - 12:00	Activité de cours

Coordonnées de l’enseignant

Groupe	Nom	Activité	Courriel	Local	Disponibilité
01	Handy Fortin Blanchette	Activité de cours	Handy.Fortin-Blanchette@etsmtl.ca	A-2760
01	Vincent Bourgoin-Lafrance	Laboratoire aux 2 semaines	Vincent.Bourgoin-Lafrance@etsmtl.ca

Cours

Date	Contenus traités dans le cours	Heures
	E1. Introduction générale sur les différents aspects de la conversion de l'énergie électrique utilisant des convertisseurs statiques. Principe de la conversion CC/CC. Calcul du rapport de conversion CC/CC basé sur le principe de la balance des Volt-seconde.	(3 heures)
	E2, E3. Notions d’électromagnétisme appliquées aux convertisseurs (inductances de fuite, capacités parasites). Étude des caractéristiques statiques et dynamiques de la diode épitaxiale. Étude du recouvrement direct et inverse créés par le plasma d’électrons. Étude des caractéristiques statiques et dynamiques des diodes SiC (Silicon Carbide).	(6 heures)
	E4. Exemple de calcul des pertes des diodes épitaxiales et SiC. Analyse de la structure des MOS de puissance. Étude des caractéristiques statiques des MOSFET de puissance.	(3 heures)
	E5,E6. Étude des séquences d’ouverture et de fermeture des MOSFET de puissance basée sur une modélisation SPICE	(6 heures)
	E7. Examen de mi-session	(3 heures)
	E8. Analyse thermique appliquée à l’électronique de puissance. Étude du transfert thermique par l’équation de Poisson unidimensionnelle. Description des méthodes de transfert thermique (conduction, convection et radiation).	(3 heures)
	E9. Étude des caractéristiques statiques et dynamiques du IGBT. Analyse de l’impact du courant de queue ainsi que de la température sur les caractéristiques des IGBT	(3 heures)

	E10. Conception et fabrication des éléments magnétiques des convertisseurs de puissance. Conception d’inductances en mode différentiel et en mode commun. Analyse de leurs caractéristiques fréquentielles	(3 heures)
	E11,E12. Étude des convertisseurs statiques autonomes −les hacheurs à thyristors à commutation forcée et leurs méthodes d'études dans le plan de phase;	(6 heures)
	E13. Techniques de fabrication des circuits imprimés utilisés dans les convertisseurs de puissance. Calcul des éléments parasites : (capacités parasites, inductances de fuite). Analyse de l’empilement des circuits. Calcul de largeur des traces à partir de la norme IPC2221.	(3 heures)
	Total	39

NOTE : Tous les cours sont d'une durée de 3 heures 30 minutes par semaine.

Laboratoires et travaux pratiques

Les manipulations en laboratoire abordent les sujets suivants :

Date	Description	Heures
	Laboratoire 1 : Étude expérimentale des caractéristiques en commutation de la diode épitaxiale.	4 heures
	Laboratoire 2 : Étude expérimentale des caractéristiques dynamiques du MOSFET de puissance. (4 heures)	4 heures
	Laboratoire 3 : (Projet Partie 1). Conception d’un convertisseur de puissance. Étude de l’application proposée et simulation dans SimPowerSystem. (4 heures)	4 heures
	Laboratoire 4 : (Projet Partie 2). Sélection des semi-conducteurs de puissance. Calcul des pertes associées à ces interrupteurs. Conception des éléments magnétiques. Sélection des noyaux.	4 heures
	Laboratoire 5 : (Projet Partie 3). Sélection du radiateur. Simulation thermique visant à valider le choix des semi-conducteurs de puissance.	4 heures
	Laboratoire 6 : Réalisation et étude d'un hacheur à thyristor à commutation forcée	4 heures
	Total	24

Utilisation d'outils d'ingénierie

Expérience de base avec Matlab-Simulink.

Utilisation du logiciel de simulation SimPowerSystem.

Évaluation

Activité	Description	%	Date de remise
	Travaux pratiques (lab.)	40 %
	Examen Intra	30 %	18 février 2022
	Examen final	30 %

Pour chaque travail pratique, l'étudiant(e) devra fournir un rapport décrivant brièvement les différentes étapes d'études théoriques et de réalisations expérimentales.

Toute documentation permise aux séances d'examens (notes de cours, problèmes de pratique, exemples faits en classe)

Dates des examens intra

Groupe(s)	Date
1	18 février 2022

Date de l'examen final
Votre examen final aura lieu pendant la période des examens finaux, veuillez consulter l'horaire à l'adresse suivante : http://etsmtl.ca/Etudiants-actuels/Baccalaureat/Examens-finaux

Politique de retard des travaux
Tout travail (devoir pratique, rapport de laboratoire, rapport de projet, etc.) remis en retard sans motif valable, c’est-à-dire autre que ceux mentionnés dans le Règlement des études (1er cycle, article 7.2.7 b / cycles supérieurs, article 6.5.4 b) se verra attribuer la note zéro, à moins que d’autres dispositions ne soient communiquées par écrit par l’enseignant dans les consignes de chaque travail à remettre ou dans le plan de cours pour l’ensemble des travaux.

Dispositions additionnelles

Les pénalités appliquées à la remise en retard d'un rapport de laboratoire s'appliquent comme suit :

Une journée de retard entraîne une division du résultat obtenu par 2. Deux jours de retard et plus entraîne un résultat de zéro.

Absence à un examen
Dans les cinq (5) jours ouvrables suivants, la tenue de son examen, l’étudiant devra justifier son absence d’un examen durant le trimestre auprès de la coordonnatrice – Affaires départementales qui en référera au directeur du département ou du SEG. Pour un examen final, l’étudiant devra justifier son absence auprès du Bureau du registraire. Dans tous les cas, l’étudiant doit effectuer sa demande en complétant le formulaire prévu à cet effet qui se trouve dans son portail Mon ÉTS/Formulaires. Toute absence non justifiée par un motif majeur (maladie certifiée par un billet de médecin, décès d’un parent immédiat, Activité compétitive d’un étudiant appartenant à un club scientifique ou un club sportif d’élite de l’ÉTS ou au programme « Alliance sport étude » ou autre) à un examen entraînera l’attribution de la note zéro (0).

Infractions de nature académique
Les clauses du « Règlement sur les infractions de nature académique de l’ÉTS » s’appliquent dans ce cours ainsi que dans tous les cours du département. Les étudiants doivent consulter le Règlement sur les infractions de nature académique (https://www.etsmtl.ca/docs/ETS/Gouvernance/Secretariat-general/Cadre-reglementaire/Documents/Infractions-nature-academique ) pour identifier les actes considérés comme étant des infractions de nature académique ainsi que prendre connaissance des sanctions prévues à cet effet. À l’ÉTS, le respect de la propriété intellectuelle est une valeur essentielle et les étudiants sont invités à consulter la page Citer, pas plagier ! (https://www.etsmtl.ca/Etudiants-actuels/Baccalaureat/Citer-pas-plagier).

Documentation obligatoire

Notes de cours disponibles sur le site Moodle du cours.

Ouvrages de références

Power Semiconductor Devices: Theory and Applications 1st Edition. Vítezslav Benda, Duncan A. Grant, John Gowar

International Rectifier Power MOSFETs Data Book et Hexfets Designers Manual.

Fundamentals of Heat and Mass Transfer, 5th Edition. Frank P. Incropera, David P. DeWitt

Switching Power Supply Design, 3rd Ed. Abraham I. Pressman, Keith Billings, Taylor Morey

Fundamentals of Power Electronics, 2nd Edition, Robert W. Erickson, Dragan Maksimovic

Fundamentals of Semiconductor Devices, 2nd Edition, Betty Lise Anderson, Richard L. Anderson

Adresse internet du site de cours et autres liens utiles

https://cours.etsmtl.ca/ele654/