Date
Contenus traités dans le cours
Heures
E2, E3. Notions d’électromagnétisme appliquées aux convertisseurs (inductances de fuite, capacités parasites). Étude des caractéristiques statiques et dynamiques de la diode épitaxiale. Étude du recouvrement direct et inverse créés par le plasma d’électrons. Étude des caractéristiques statiques et dynamiques des diodes SiC (Silicon Carbide).
(6 heures)
E4. Exemple de calcul des pertes des diodes épitaxiales et SiC. Analyse de la structure des MOS de puissance. Étude des caractéristiques statiques des MOSFET de puissance.
(3 heures)
E5,E6. Étude des séquences d’ouverture et de fermeture des MOSFET de puissance basée sur une modélisation SPICE
E9. Étude des caractéristiques statiques et dynamiques du IGBT. Analyse de l’impact du courant de queue ainsi que de la température sur les caractéristiques des IGBT
E10. Conception et fabrication des éléments magnétiques des convertisseurs de puissance. Conception d’inductances en mode différentiel et en mode commun. Analyse de leurs caractéristiques fréquentielles
E11,E12. Étude des convertisseurs statiques autonomes
−les hacheurs à thyristors à commutation forcée et leurs méthodes d'études dans le plan de phase;
(5 heures)
E13. Techniques de fabrication des circuits imprimés utilisés dans les convertisseurs de puissance et analyse de fiabilité. Calcul des éléments parasites : (capacités parasites, inductances de fuite).
(4 heures)
Total
39
NOTE : Tous les cours sont d'une durée de 3 heures 30 minutes par semaine.
Les manipulations en laboratoire abordent les sujets suivants :
Description
Laboratoire 1 : Étude expérimentale des caractéristiques en commutation de la diode épitaxiale.
4 heures
Laboratoire 2 : Étude expérimentale des caractéristiques dynamiques du MOSFET de puissance. (4 heures)
Laboratoire 3 :
(Projet Partie 1). Conception d’un convertisseur de puissance. Étude de l’application proposée et simulation dans SimPowerSystem. (4 heures)
Laboratoire 4 : (Projet Partie 2). Sélection des semi-conducteurs de puissance. Calcul des pertes associées à ces interrupteurs. Conception des éléments magnétiques. Sélection des noyaux.
Laboratoire 5 : (Projet Partie 3). Sélection du radiateur. Simulation thermique visant à valider le choix des semi-conducteurs de puissance.
Laboratoire 6 : Réalisation et étude d'un hacheur à thyristor à commutation forcée
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Expérience de base avec Matlab-Simulink.
Utilisation du logiciel de simulation SimPowerSystem.